进口ALD设备原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
进口ALD设备特点:
占地面积小
计算机控制,Labview软件全自动工艺控制
360A厚的AL2O3膜,误差为±1A
三维镀膜,接近100%的阶梯覆盖率
设备集成安全气柜
10mTorr的极限真空
可支持6“,8”基片(升级支持12“,或定制更大尺寸)
样品台可加热至400℃(可选加热到500℃)
手动/自动上下载片可选
支持多达7路的50ml的液态或固态前驱体瓶源
进口ALD设备选配:
下游式远程平面ICP源或中空阴极离子源,支持PEALD
自动上下片,单片或25片cassette
增加额外的液态qia前驱体或额外的fan'ying反应气路
300l/sec的磁悬浮涡流分子泵,5*10-7Torr极限真空
大尺寸的基片或fe粉末的沉积
QCM原位膜厚监控系统