硅片清洗机物理清洗有三种方法：
①刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。
②高压清洗：是用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。
③超声波清洗：超声波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是,从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，清洗效果更好。
硅片清洗机发展展望：
伴随着硅片的大直径化,器件结构的超微小化、高集成化,对硅片的洁净程度、表面的化学态、微粗糙度、氧化膜厚度等表面状态的要求越来越高。
同时,要求用更经济的、给环境带来更少污染的工艺获得更高性能的硅片。高集成化的器件要求硅片清洗要尽量减少给硅片表面带来的破坏和损伤,尽量减少溶液本身或工艺过程中带来的沾污。
硅片清洗机正向着小型化、非盒式化及一次完成化(所有清洗与干燥步骤在一个槽内进行)方向发展,以减少工艺过程中带来的沾污,满足深亚微米级器件工艺的要求。这无论对清洗工艺还是对清洗设备都是一个极大的挑战,传统的清洗方法已不能满足要求。
臭氧水、兆声波、电解离子水等的应用显示出很好的去除硅片表面颗粒和金属沾污的能力,对硅片表面微观态的影响很小。而且,它们的使用使清洗设备小型化及清洗工艺一次完成化的实现成为可能。
同时,它们对环境的低污染度也是传统的清洗溶液所不能比拟的。在未来的清洗工艺中它们可能会被广泛地应用。
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更新时间：2018-01-24 
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