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3分钟带你详细了解等离子体增强MOCVD的技术特点和配置

更新时间:2021-05-14      浏览次数:1366

    等离子体增强MOCVD也就是大名鼎鼎的MOCVD(金属有机物化学气相沉积),针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有加热的气体管路、5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、950度样品台三个气体环、PC全自动控制、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5x10-7Torr极限真空),*的安全互锁。

    等离子体增强MOCVD技术特点:

    台式系统

    5个带独立冷却槽的起泡器

    加热的气体管路

    950°C样品台,2"晶圆片

    3个气体环

    RF等离子源,带淋浴头气体分布

    工艺完成后N2自动冲洗

    极限真空5x10-7Torr

    250l/s的涡轮分子泵串接无油干泵

    通过LabView软件实现PC计算机全自动控制

    菜单驱动,4级密码访问控制

    完整的安全联锁

    等离子体增强MOCVD配置:

    独立系统

    14"不锈钢立方体腔体

    1次在8"样品台上处理1个6"晶圆片或在12"样品台上处理5片4"片子

    加热的气体管路

    RF等离子源,自动调谐

    淋浴头气体分布

    1100°C的旋转样品台
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