RIE反应离子刻蚀机

NRE-3500（M）反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。

NRE-3500（M）反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。

产品特点：

• 铝质腔体或不锈钢腔体
• 不锈钢立柜
• 能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属
• 典型的硅刻蚀速率，400 ?/min
• 高达12"的阳极氧化铝RF样品台
• 水冷及加热的RF样品台
• 大的自偏压
• 淋浴头气流分布
• 极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别
• 涡轮分子泵
• 至多支持5个MFC
• 无绕曲气体管路
• 自动下游压力控制
• 双刻蚀能力：RIE以及PE刻蚀(可选)
• 终点监测
• 气动升降顶盖
• 手动上下载片
• 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
• 菜单驱动，4级密码访问保护
• *的安全联锁
• 可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀

产品型号：

• NRE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立式系统，占地面积26“D x 44"W
• NRE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统，占地面积26“D x 26"W
• NRE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统，占地面积26“D x 26"W
• NRP-4000：RIE/PECVD双系统
• NDR-4000：深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统