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NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀
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DRIE深反应离子刻蚀
NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀概述:是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8" ICP源。系统可以配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下,系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。
NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀主要特点:
配置内容: