进口ALD设备：ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

进口ALD设备概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

进口ALD设备特点：

• 占地面积小
• 计算机控制，Labview软件全自动工艺控制
• 360A厚的AL2O3膜，误差为±1A
• 三维镀膜，接近100%的阶梯覆盖率
• 设备集成安全气柜
• 10mTorr的极限真空
• 可支持6“，8”基片（升级支持12“，或定制更大尺寸）
• 样品台可加热至400℃（可选加热到500℃）
• 手动/自动上下载片可选
• 支持多达7路的50ml的液态或固态前驱体瓶源

进口ALD设备选配：

• 下游式远程平面ICP源或中空阴极离子源，支持PEALD
• 自动上下片，单片或25片cassette
• 增加额外的液态qia前驱体或额外的fan'ying反应气路
• 300l/sec的磁悬浮涡流分子泵，5*10-7Torr极限真空
• 大尺寸的基片或fe粉末的沉积
• QCM原位膜厚监控系统

进口ALD设备应用：

• Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
• Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
• Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.
• Nano laminates纳米复合材料
• 高K介质
• 疏水性涂覆
• 钝化层
• 高深宽比扩散阻挡层的铜连接
• 微流控ying'yo应用的保形性涂覆
• 燃料电池z中诸如催化层的单金属涂覆