热真空试验箱是在地面上模拟太空环境的环境模拟试验设备。近几年来，热真空试验设备在航天航空业产品的研制和定型中发挥了重要作用。热真空试验箱由于结构复杂，在运行中有时会出现一些异常现象，如果不能及时排除，将延长试验周期，影响产品的研制工作。为此，我们对试验箱的基本工作原理作一些简要阐述，并介绍如何对热真空试验箱的一般故障进行分析判断和排除。断开制冷控制，制冷阀关闭，检查真空计通讯接口有无松动，分子泵转速有无发生变化，经检查都正常，说明真空机组的问题可以排除由于低温降温阶段出现真空...

硅片清洗机正向着小型化、非盒式化及一次完成化（所有清洗与干燥步骤在一个槽内进行）方向发展，以减少工艺过程中带来的沾污，满足深亚微米级器件工艺的要求。这无论对清洗工艺还是对清洗设备都是一个极大的挑战，传统的清洗方法已不能满足要求。臭氧水、兆声波、电解离子水等的应用显示出很好的去除硅片表面颗粒和金属沾污的能力，对硅片表面微观态的影响很小。而且，它们的使用使清洗设备小型化及清洗工艺一次完成化的实现成为可能。硅片清洗机不仅保留了超声波清洗的优点，而且克服了超声波清洗的缺点。兆声无损清...

等离子去胶机是石英腔的微波等离子系统，可以安装到超净间墙上。该系列的微波等离子系统可以用于批处理，也可以作为单片处理，系统为计算机全自动控制的系统。典型工艺包含：大剂量离子注入后的光刻胶去除；干法刻蚀工艺的前处理或后处理；MEMS制造中的牺牲层去除。去胶工艺是微加工实验中一个非常重要的过程。在电子束曝光、紫外曝光等微纳米加工工艺之后，都需要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶去除的是否干净*、对样片是否有损伤等问题将直接影响到后续工艺的顺利完成。德国ALPHAPLAMSA拥有...

一般的热真空试验箱均设有温度均匀度参数：自然对流式的干燥箱为工作温度上限乘3%，强制对流式的干燥箱为工作温度上限乘2.5%。惟独电热真空干燥箱不设温度均匀度参数，这是为什么？真空干燥箱内依靠气体分子运动使工作室温度达到均匀的可能性几乎已经没有了。因此，从概念上我们就不能再把通常电热（鼓风）干燥箱所规定的温度均匀度定义用到真空干燥箱上来。在真空状态下设这个指标也是没有意义的。热辐射的量与距离的平方成反比。同一个物体，距离加热壁20cm处所接受的辐射热只是距离加热壁10cm处的1...

等离子刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性微粒与被刻蚀材料起化学反应产生辉发性物质进行刻蚀的。同时为了保证氟离子的浓度和刻蚀速度必须加入一定比例的氧气生成二氧化碳。在众多半导体工艺中，刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀采用化学腐蚀进行，是传统的刻蚀工艺。它具有各向同性的缺点，即在刻蚀过程中不但有所需要的纵向刻蚀，也有不需要的横向刻蚀，因而精度差，线宽一般在3um以上。RIE-PE刻蚀机...

硅片清洗机不仅保留了超声波清洗的优点，而且克服了超声波清洗的缺点。兆声无损清洗机的工作原理是利用高能（850kHz）频率效应和化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗。在清洗过程中，换能器发出的高能声波波长为1m，频率为0.8MHZ。在声波的驱动下，溶液的分子运动得更快。瞬时速度可达30cm/s。因此，无法形成超声清洗等气泡。相反，硅片清洗机只能用高速的流体波不断地冲击晶圆片表面，迫使附着在晶圆片表面的微小污染物颗粒被去除并进入清洗溶液中。硅片清洗机特点：高能能有效地去除亚微米粒子...

RIE-PE刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性微粒与被刻蚀材料起化学反应产生辉发性物质进行刻蚀的。同时为了保证氟离子的浓度和刻蚀速度必须加入一定比例的氧气生成二氧化碳。RIE-PE刻蚀机主要对太阳能电池片周边的P—N结进行刻蚀，使太阳能电池片周边呈开路状态。也可用于半导体工艺中多晶硅，氮化硅的刻蚀和去胶。刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度，就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上，即希望只刻蚀...

微波等离子清洗机采用气体作为清洗介质，有效地避免了因液体清洗介质对被清洗物带来的二次污染。等离子清洗机外接一台真空泵，工作时清洗腔中的等离子体轻柔冲刷被清洗物的表面，短时间的清洗就可以使有机污染物被*地清洗掉，同时污染物被真空泵抽走，其清洗程度达到分子级。微波等离子清洗机除了具有超清洗功能外，在特定条件下还可根据需要改变某些材料表面的性能，等离子体作用于材料表面，使表面分子的化学键发生重组，形成新的表面特性。对某些有特殊用途的材料，在超清洗过程中等离子清洗器的辉光放电不但加强...